No products in the cart.
Ram Memory Laptop
Netac 16GB DDR4 3200Mhz CL22 SODIMM Notebook Memory
Netac 16GB DDR4 3200Mhz CL22 SODIMM Notebook Memory
Netac 16GB DDR4 3200MHz CL22 SODIMM е RAM меморија наменета за компатибилни лаптопи, која овозможува подобрени перформанси и непречено извршување на секојдневните задачи. Со капацитет од 16GB и работна фреквенција од 3200MHz, претставува практично решение за надградба на меморијата на лаптопот.
Капацитетот од 16GB овозможува поефикасно работење со повеќе отворени апликации, интернет-прелистувачи и документи. DDR4 технологијата обезбедува соодветни перформанси за секојдневна употреба, работа и мултитаскинг на компатибилни системи.
Со работна брзина од 3200MHz и латентност CL22, Netac меморијата е погодна за надградба на лаптопи што поддржуваат DDR4 SODIMM мемориски модули со овие спецификации.
SODIMM форматот е наменет за лаптопи и други компатибилни компактни системи. Модулот користи златни контактни површини, а печатената плочка има висина од 30 mm.
Гаранција 60 месеци
6.980,00 ден
| Netac 16GB DDR4 3200MHz CL22 SODIMM Notebook Memory | |
|---|---|
| Memory Specifications | |
| Capacity | 16GB |
| Memory Type | DDR4 |
| Memory Format | SODIMM Notebook Memory |
| Speed | 3200MHz |
| CAS Latency | CL22 |
| Prefetch | 8 bit pre-fetch |
| Power Supply and Voltage | |
| Power Supply (VDD) | VDD = 1.2V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | 1.2V (1.14V to 1.26V) |
| VPP | 2.5V (2.375V to 2.75V) |
| VDDSPD | 2.25V to 3.6V |
| Signal and Data Management | |
| On-Die Termination (ODT) | Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals |
| Data Bus Inversion (DBI) | Data bus inversion (DBI) for data bus |
| VREFDQ | On-die VREFDQ generation and calibration |
| Command/Address Parity | Command/Address (CA) parity |
| Command/Address Latency | Command/Address latency (CAL) |
| Control Command and Address Bus | Terminated control command and address bus |
| Refresh and Operating Features | |
| Low-Power Auto Self Refresh | Low-power auto self refresh (LPASR) |
| Temperature Controlled Refresh | Temperature controlled refresh (TCR) |
| Per DRAM Addressability | Per DRAM Addressability is supported |
| Burst and Memory Architecture | |
| Fixed Burst Chop and Burst Length | Fixed burst chop (BC) of 4 and burst length (BL) of 8 via the mode register set (MRS) |
| Selectable Burst Chop or Burst Length | Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF) |
| Data Bus Write CRC | Databus write cyclic redundancy check (CRC) |
| Topology | Fly-by topology |
| SPD and Onboard Components | |
| SPD EEPROM | On-board I2C serial presence-detect (SPD) EEPROM |
| Physical Characteristics | |
| PCB Height | 1.18” (30.00mm) |
| Contacts | Gold edge contacts |
| Environmental Compliance | |
| Compliance | RoHS Compliant and Halogen-Free |
| Brands | Netac |
|---|---|
| Color | Black |
| Capacity | 16 GB |
Based on 0 reviews
Only logged in customers who have purchased this product may leave a review.
Related products
-
Ram Memory Laptop
Samsung 8GB DDR4 3200M SODIMM Notebook Memory
Samsung 8GB DDR4 3200M SODIMM Notebook Memory
Samsung 8GB DDR4 3200MHz SODIMM е мемориски модул наменет за компатибилни лаптопи. Со капацитет од 8GB и брзина од 3200MHz, овозможува надградба на системската меморија за подобро извршување на секојдневните задачи и поефикасно работење со повеќе апликации истовремено.
Овој Samsung RAM модул користи DDR4 технологија со брзина од 3200MHz и латентност CL22. Претставува практично решение за корисници што сакаат да ја надградат меморијата на својот лаптоп за работа, учење, интернет-прелистување и секојдневна употреба.
Меморијата е изработена во SODIMM формат, наменет за лаптопи и компатибилни компактни системи. Со 260 пинови и напон од 1,2 V, модулот е дизајниран за уреди што поддржуваат DDR4 SODIMM меморија со соодветни спецификации.
Модулот има капацитет од 8GB, Non-ECC корекција на грешки и Rank 1 конфигурација. Моделот M471A1G44CB0-CWE овозможува полесно препознавање и проверка на компатибилноста со вашиот уред пред купување.
Гаранција 60 месеци
SKU: 1564 -
Ram Memory Laptop
Kingston Fury Impact 16GB CL20 DDR4 3200MHz Kit (2×8)
Kingston Fury Impact 16GB CL20 DDR4 3200MHz Kit (2×8) SODIMM Notebook Memory
Kingston FURY Impact 16GB DDR4 3200MHz CL20 е комплет RAM меморија наменет за компатибилни лаптопи и компактни системи. Комплетот содржи два мемориски модули од по 8GB, со вкупен капацитет од 16GB, што овозможува надградба на системската меморија и подобро извршување на повеќе задачи истовремено.
Со работна брзина од 3200MHz и CAS латентност CL20, Kingston FURY Impact е погоден за секојдневна работа, мултитаскинг и користење апликации на компатибилни лаптопи. DDR4 технологијата овозможува ефикасно работење со напон од 1,2 V.
Комплетот вклучува два SODIMM модули од по 8GB. Овој формат е наменет за лаптопи и други уреди што поддржуваат DDR4 SODIMM меморија. Пред купување, проверете ја компатибилноста со вашиот лаптоп и поддржаната брзина на меморијата.
Меморијата поддржува On-Die Termination (ODT), 16 внатрешни банки организирани во 4 групи по 4 банки, двонасочен диференцијален сигнал за податоци и 8-bit prefetch. Поддржува и менување на должината на пакетот во реално време: BL8 или BC4 (Burst Chop).
Гаранција 60 месеци
SKU: 1563 -
Ram Memory Laptop
Samsung 8GB CL22 DDR4 3200MHz 1.2V Non-ECC Unbuffered
Samsung 8GB CL22 DDR4 3200MHz 1.2V Non-ECC Unbuffered SODIMM Notebook Memory
Samsung 8GB DDR4 3200MHz CL22 SODIMM е RAM меморија наменета за компатибилни лаптопи. Со капацитет од 8GB и брзина на пренос на податоци од 3200MHz, таа е одличен избор за надградба на меморијата и подобрување на перформансите при секојдневна употреба. Овозможува полесно користење на повеќе апликации истовремено, работа со документи, прелистување на интернет и извршување на различни работни задачи.
Модулот користи DDR4 технологија и SODIMM формат со 260 пинови, специјално наменет за лаптопи што го поддржуваат овој тип меморија. Со латентност CL22 и пропусен опсег PC-25600, обезбедува соодветни перформанси за секојдневните компјутерски потреби. Капацитетот од 8GB е практично решение за корисници кои сакаат да ја зголемат достапната RAM меморија или да го заменат постојниот модул.
Samsung M471A1G44CB0-CWE работи со напон од 1.2V и има Rank 1 конфигурација со време на циклус од 0.62ns. Меморијата е Non-ECC, односно нема корекција на грешки, и е Unbuffered, што ја прави погодна за компатибилни лаптоп системи со стандардна DDR4 меморија.
Гаранција 24 месеци
SKU: 1565
There are no reviews yet.